| 发明名称 | 半导体功率器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体功率器件。所述半导体功率器件包括布置在衬底中的阱、与阱交叠的栅极、布置在栅极的一侧处的源极区、布置在阱中的埋层以及与埋层接触的漏极区或漂移区。 | ||
| 申请公布号 | CN104112769A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201410136565.2 | 申请日期 | 2014.04.04 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 金宁培;文振宇;弗朗索瓦·希伯 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种半导体功率器件，包括:布置在衬底中的阱；与所述阱交叠的栅极；布置在所述栅极的一侧处的源极区；布置在所述阱中的埋层；以及与所述埋层接触并且具有与所述源极区不同深度的漏极区。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||