发明名称 存储器装置以及由存储器装置中读取数据的方法
摘要 本发明提供一种存储器装置以及由存储器装置中读取数据的方法,其中一存储器装置读取数据的方法,包括下列步骤:提供第一存储单元阵列,第一存储单元阵列包括第一字元线,第一数据是储存于第一存储单元阵列中;提供第二存储单元阵列,第二存储单元阵列包括第二字元线,第二存储单元阵列与第一存储单元阵列分离,第二数据储存于第二存储单元阵列中;于相同时间或于重叠时间中选择第一字元线的一者以及第二字元线的一者;交错地选择第一存储单元阵列的第一位址和第二存储单元阵列的第二位址,以从第一存储单元阵列和第二存储单元阵列中交错地读取第一数据的第一对应部份以及第二数据的第二对应部份。以此,解决传统存储器装置的读取速度受限制的问题。
申请公布号 CN104112471A 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN201310133839.8 申请日期 2013.04.17
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 陈毓明;苏腾
分类号 G11C16/02(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 贾磊
主权项 一种存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括:一第一存储单元阵列,包括多个第一字元线和多个第一位线,其中多笔第一数据是储存于所述第一存储单元阵列中;一第二存储单元阵列,与所述第一存储单元阵列分离,并包括多个第二字元线和多个第二位线,其中多笔第二数据是储存于所述第二存储单元阵列中;一控制逻辑电路,允许于一相同时间或于一重叠时间中选择所述多个第一字元线的一者以及所述多个第二字元线的一者,并且交错地选择所述第一存储单元阵列的一第一位址和所述第二存储单元阵列的一第二位址,以从所述第一存储单元阵列和所述第二存储单元阵列中交错地读取所述多笔第一数据的一第一对应部份以及所述多笔第二数据的一第二对应部份;一第一感测放大器,经由所述多个第一位线耦接至所述第一存储单元阵列,并放大所述多笔第一数据的所述第一对应部份;以及一第二感测放大器,经由所述多个第二位线耦接至所述第二存储单元阵列,并放大所述多笔第二数据的所述第二对应部份。
地址 中国台湾台中市