| 发明名称 | 发光二极管制备方法和发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种发光二极管制备方法和发光二极管，该方法，包括在衬底上生长第一非掺杂层，接着，在所述第一非掺杂层上生长N型掺杂层，在所述N型掺杂层上生长梯度掺杂前阱层，其中，梯度掺杂前阱层的掺杂浓度从所述N型掺杂层向所述量子阱发光层方向渐变，再接着，在所述梯度掺杂前阱层上生长量子阱发光层，然后，在所述量子阱发光层上生长P型掺杂层。实现了注入量子阱发光层的电流均匀，从而提高了电子和空穴的复合效率效率，进而提高了LED芯片的亮度以及其它光电参数的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104112798A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201410374919.7 | 申请日期 | 2014.07.31 |
| 申请人 | 圆融光电科技有限公司 | 发明人 | 焦建军;黄小辉;周德保;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种发光二极管制备方法，其特征在于，包括：在衬底上生长第一非掺杂层；在所述第一非掺杂层上生长N型掺杂层；在所述N型掺杂层上生长梯度掺杂前阱层，所述梯度掺杂前阱层的掺杂浓度从所述N型掺杂层向所述量子阱发光层方向渐变；在所述梯度掺杂前阱层上生长量子阱发光层；在所述量子阱发光层上生长P型掺杂层。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济开发区湖西大道南路259号1-一层 | ||