具有包含多个金属氧化物层的绝缘体堆叠体的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器

摘要

本发明描述了一种具有包含多个金属氧化物层的绝缘体堆叠体的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。例如，用于半导体器件的MIM电容器包括设置于电介质层中的沟槽，所述电介质层设置于衬底上方。沿着沟槽的底部和侧壁设置第一金属板。绝缘体堆叠体设置于第一金属板上方并与第一金属板共形。绝缘体堆叠体包括具有第一介电常数的第一金属氧化物层、和具有第二介电常数的第二金属氧化物层。第一介电常数大于第二介电常数。MIM电容器还包括设置于绝缘体堆叠体上方并与绝缘体堆叠体共形的第二金属板。

主权项

一种用于半导体器件的嵌入式金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，所述电容器包括：沟槽，所述沟槽设置于电介质层中，所述电介质层设置于衬底上方；第一金属板，所述第一金属板沿着所述沟槽的底部和侧壁设置；绝缘体堆叠体，所述绝缘体堆叠体设置于所述第一金属板上方并与所述第一金属板共形，所述绝缘体堆叠体包括具有第一介电常数的第一金属氧化物层、和具有第二介电常数的第二金属氧化物层，所述第一介电常数大于所述第二介电常数；以及第二金属板，所述第二金属板设置于所述绝缘体堆叠体上方并与所述绝缘体堆叠体共形。