自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法

摘要

本发明公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法，该制程方法应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，将富硅氧化物SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上，所述沉积厚度在50埃至150埃之间；在所述SRO膜上涂布光阻胶，对所述光阻胶进行曝光显影，形成图案化的光阻胶；以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述SRO膜。该结构包括厚度在50埃至150埃之间的SRO膜。本发明还公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法。采用该结构及其制程方法能够有效解决刻蚀自对准硅化物区域阻挡膜时出现的STI loss、过刻蚀半导体衬底以及损伤侧壁层的问题。

主权项

一种自对准硅化物区域阻挡膜的制程方法，应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，该方法包括： 将SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上，所述SRO膜的厚度在50到150埃之间； 在所述SRO膜上沉积Al₂O₃膜，所述Al₂O₃膜的厚度小于等于50埃； 对所述SRO膜和Al₂O₃膜进行高温退火处理； 在所述Al₂O₃膜上涂布光阻胶，对所述光阻胶进行曝光显影，形成图案化的光阻胶； 以图案化的光阻胶为掩膜，依次刻蚀所述Al₂O₃膜和SRO膜。