发明名称 阻气性膜的制造方法及具备阻气性膜的电子构件或光学构件
摘要 本发明是阻气性膜的制造方法、以及具备由本发明制得的阻气性膜的电子构件或光学构件。所述阻气性膜的制造方法是至少具有包含合成树脂的基材、和在该基材上形成的阻气层的阻气性膜的制造方法,其特征在于,具有下述工序1、2。由本发明制得的阻气性膜即使在高温·高湿条件下也不会发生阻气层与基材的密合不良的问题。(工序1)是下述工序:在所述基材上涂装含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液,将得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜加热干燥,由此形成含有硅系高分子化合物的层,所述基材与有机溶剂的组合是将所述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、所述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合;(工序2)是下述工序:通过对含有形成有硅系高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层。
申请公布号 CN104114287A 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN201280058407.9 申请日期 2012.11.28
申请人 琳得科株式会社 发明人 岩屋涉;伊藤雅春;近藤健
分类号 B05D7/24(2006.01)I;B05D3/04(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;B32B27/00(2006.01)I;B32B27/16(2006.01)I 主分类号 B05D7/24(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 高旭轶;孟慧岚
主权项 一种阻气性膜的制造方法,其是至少具有包含合成树脂的基材、和在该基材上形成的阻气层的阻气性膜的制造方法,其特征在于,具有下述工序:工序1是下述工序:在所述基材上涂装含有硅系高分子化合物和有机溶剂的硅系高分子化合物溶液,将得到的硅系高分子化合物溶液的涂膜加热干燥,由此形成含有硅系高分子化合物的层,所述基材与有机溶剂的组合是将所述基材在23℃下浸渍于该有机溶剂中72小时时测量的、所述基材的凝胶分数为70%以上、低于98%的组合;工序2是下述工序:通过对含有形成有硅系高分子化合物的层进行等离子体处理而形成阻气层。
地址 日本东京都