| 发明名称 | 一种半导体器件栅极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅极氧化层之后，在所述栅极氧化层上沉积多晶硅层，并在所述多晶硅层上形成图案化的掩膜层，其关键在于，在图案化的掩膜层两侧形成侧壁聚合物；使图案化的掩膜层及侧壁聚合物做掩膜，刻蚀所述多晶硅层；移除图案化的掩膜层及侧壁聚合物构成的掩膜。应用本发明使刻蚀出来的栅极宽度达到均匀，从而使栅极到源极和漏极的距离相等，提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101728256B | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN200810224598.7 | 申请日期 | 2008.10.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 张海洋;陈海华;黄怡;赵林林 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 宋志强;麻海明 |
| 主权项 | 一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅极氧化层之后，在所述栅极氧化层上沉积多晶硅层，并在所述多晶硅层上形成图案化的掩膜层，其特征在于，该方法还包括：在刻蚀多晶硅层形成栅极之前，在图案化的掩膜层两侧形成侧壁聚合物；使图案化的掩膜层及侧壁聚合物做掩膜，刻蚀所述多晶硅层；移除图案化的掩膜层及侧壁聚合物构成的掩膜；所述形成侧壁聚合物的方法为干法等离子刻蚀方法，进行垂直单向性的回蚀刻；所述干法等离子刻蚀的工艺参数包括：反应室压力为10mTorr～100mTorr，射频功率为100W～500W，三氟甲烷的流量为50sccm～300sccm，氧气的流量为10sccm～100sccm，氩气的流量为50sccm～250sccm，刻蚀时间为10s～100s；所述形成侧壁聚合物的厚度为5nm～10nm。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||