| 发明名称 |
气体阻绝膜及电子装置 |
| 摘要 |
本发明提供一种气体阻绝性及表面平滑性优异同时层体彼此高度地密接，且于弯曲时不易产生裂纹之气体阻绝膜，及具备该气体阻绝膜之电子装置。本发明之气体阻绝膜(10)具有基材(11)及依序设置于前述基材之至少一侧面之聚有机矽氧烷层(12)及无机物层(13)，且无机物层(13)系藉由动态离子混合法来成膜。 |
| 申请公布号 |
TWI457232 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
| 申请号 |
TW099108671 |
申请日期 |
2010.03.24 |
| 申请人 |
琳得科股份有限公司 日本 |
发明人 |
星慎一;奥地茂人 |
| 分类号 |
B32B27/06;H01L31/02 |
主分类号 |
B32B27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
张耀晖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
| 主权项 |
一种气体阻绝膜，系具有基材及依序设置于前述基材之至少一侧面之含有聚有机矽氧烷系化合物之层体及设置于该含有该聚有机矽氧烷系化合物之层体上之无机物层，前述无机物层系藉由动态离子混合法来成膜，前述含有该聚有机矽氧烷系化合物之层体的膜厚为0.03~1μm。 |
| 地址 |
日本 |
