氮化物半导体发光元件

摘要

本发明涉及一种氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括基底与多层磊晶结构。该多层磊晶结构包括沿远离该基底的方向排列的第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及与该第一型氮化物半导体层极性相反的第二型氮化物半导体层，该第二型氮化物半导体层的远离该氮化物半导体活性层的表面上形成有复数个向该第二型氮化物半导体延伸的凹槽，每个凹槽具有侧面以及与侧面相连的底面，该侧面与底面所成的角度为θ，其中，140度≦θ≦160度。该氮化物半导体发光元件可提升光萃取效率。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，其包括：基底，其用于外延成长多层磊晶结构；多层磊晶结构，其形成在该基底上，该多层磊晶结构包括沿远离该基底的方向排列的第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及与该第一型氮化物半导体层极性相反的第二型氮化物半导体层，该第二型氮化物半导体层的远离该氮化物半导体活性层的表面上形成有复数向该第二型氮化物半导体延伸的凹槽，每个凹槽具有侧面以及与侧面相连的底面，该侧面与底面所成的角度为θ，其中，140度≦θ≦160度。