| 发明名称 |
半导体结构 |
| 摘要 |
本发明揭示一种半导体结构，包括：一半导体基底；一闸介电层于半导体基底上；一闸极于闸介电层上；一深源极/汲极区邻近闸极；一矽化物区于深源极/汲极区上；以及，一增高式金属化源极/汲极区介于矽化物区与闸极之间。其中，增高式金属化源极/汲极区邻接矽化物区。 |
| 申请公布号 |
TWI458094 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
| 申请号 |
TW096146270 |
申请日期 |
2007.12.05 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
柯志欣;陈宏玮;葛崇祜;官大明;李文钦 |
| 分类号 |
H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体结构，包括：一半导体基底；一闸介电层于该半导体基底上；一闸极于该闸介电层上；一深源极/汲极区邻近该闸极；一矽化物区于该深源极/汲极区上；以及一增高式金属化源极/汲极区对应设置于该深源极/汲极区与该闸极之间的一轻掺杂源极/汲极区上，其中该增高式金属化源极/汲极区邻接该矽化物区。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
