半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。于一实施例中，本发明之半导体装置包括一基板，其包括位于该基板上之一鳍型结构。该鳍型结构包括位于该基板上之一或多个鳍状物一绝缘材料。上述半导体装置更包括一闸结构，位于该鳍型结构之一部之上以及该绝缘材料之一部之上。上述闸结构横跨该鳍型结构之每一鳍状物。上述半导体装置更包括一源极/汲极元件，其由具有连续且不间断表面区域之一材料所形成。上述源极/汲极元件包括位于直接接触该绝缘材料之一平行平面、该鳍型结构之每一该一或多个鳍状物及该闸结构之一平面内之一表面。

主权项

一种半导体装置，包括：一基板，包括位于该基板上之一鳍型结构，其中该鳍型结构包括一或多个鳍状物；一绝缘材料，位于该基板上；一闸结构，位于该鳍型结构之一部之上以及该绝缘材料之一部之上，其中该闸结构横跨该鳍型结构之每一鳍状物；以及一源极/汲极元件，由具有连续且不间断表面区域之一材料所形成，其中该源极/汲极元件包括位于直接接触该绝缘材料之一平行平面、该鳍型结构之每一该一或多个鳍状物及该闸结构之一平面内之一表面。