电晶体的操作方法

摘要

一种电晶体的操作方法，适用于电晶体，电晶体包含第一闸极、第一闸极绝缘层、半导体主动层、源极、汲极、第二闸极绝缘层以及第二闸极，电晶体的操作方法包含：可将第一闸极与源极接地，施加负偏压至第二闸极并施加正偏压至汲极，以使电晶体作为光侦测器；另一方面，可将源极接地，第二闸极接地或浮接(floating)，施加偏压至第一闸极并施加正偏压至汲极，以使电晶体作为画素电晶体。

主权项

一种电晶体的操作方法，适用于一电晶体，该电晶体包含一第一闸极、一第一闸极绝缘层、一半导体主动层、一源极、一汲极、一第二闸极绝缘层以及一第二闸极，其中该第一闸极绝缘层位于该第一闸极上，该半导体主动层位于该第一闸极绝缘层上，该源极与该汲极相互分离地位于该半导体主动层的两侧上，该第二闸极绝缘层位于该半导体主动层上，该第二闸极位于该第二闸极绝缘层上，该电晶体的操作方法，包含：将该第一闸极与该源极接地；以及施加负偏压至该第二闸极并施加正偏压至该汲极，在照光环境下，以使该电晶体作为一光侦测器，其中该第二闸极为一透明闸极。