发明名称 含矽膜形成用之组成物、含矽膜形成基板及使用此之图型形成方法
摘要 本发明之目的在于提供一种热硬化性含矽膜形成用组成物,其系在用于微影之多层光阻法中,于形成于有机膜上之含矽膜的上方形成光阻膜,接着,在形成光阻图型时,即使在高NA曝光条件中亦可形成良好的图型,且在含矽膜之上层的光阻膜与下层的有机膜之间,可形成能够用做良好的乾蚀刻遮罩之含矽膜,特别是与上层之光阻的蚀刻选择性良好之热硬化性含矽膜形成用组成物。;本发明之解决方法乃是一种在用于微影之多层光阻法中,形成可成膜之含矽膜用的热硬化性含矽膜形成用组成物,其特征系,至少含有(A)~(D),;(A)使下述一般式(1)所示之1种或2种以上的水解性矽化合物,与由下述一般式(2-1)所示之水解性矽化合物及下述一般式(2-2)所示之反应性化合物所成之群选出的1种或2种以上的化合物,藉由水解缩合而得之含矽化合物、;R1m1Si(OR2)(4-m1) (1);R3m3Si(OR4)(4-m3) (2-1);U(OR5)m5(OR6)m6(O)m7/2 (2-2);(B)下述一般式(3)或(4)所示之1种或2种以上的热交联促进剂、;LaHbX (3);Ma’Hb’A (4);(C)碳数为1~30之1价或2价以上的有机酸、;(D)有机溶剂。
申请公布号 TWI457704 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW100131307 申请日期 2011.08.31
申请人 信越化学工业股份有限公司 日本 发明人 荻原勤;上田贵史;矢野俊治;长谷川幸士
分类号 G03F7/004;G03F7/029;G03F7/20 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种热硬化性含矽膜形成用组成物,其系在用于微影之多层光阻法中形成可成膜之含矽膜用的热硬化性含矽膜形成用组成物,其特征系至少含有下述(A)~(D),(A)藉由使下述一般式(1)所示之1种或2种以上的水解性矽化合物,与下述一般式(2-2)所示之1种或2种以上的反应性化合物予以水解缩合所得之含矽化合物,或是藉由使下述一般式(1)所示之1种或2种以上的水解性矽化合物,与下述一般式(2-1)所示之1种或2种以上的水解性矽化合物及下述一般式(2-2)所示之1种或2种以上的反应性化合物予以水解缩合所得之含矽化合物,R1m1Si(OR2)(4-m1)(1) R3m3Si(OR4)(4-m3)(2-1) U(OR5)m5(OR6)m6(O)m7/2(2-2)(式中,R1系可以1个以上的氟原子所取代之碳数1~30的1价有机基、R3系氢原子或碳数1~30的1价有机基;R1、R3可各为相同或相异;R2、R4系碳数1~6之烷基、m1系满足1≦m1≦3之整数、m3系满足0≦m3≦3之整数;R5、R6系碳数1~30之有机基;m5+m6+m7/2乃视U的种类而决定的价数、m5、m6、m7各为0以上之整数、U系除碳与矽外周期表之III族、IV族及V族中之任一元素)、(B)下述一般式(3)或(4)所示之1种或2种以上的热交联促进剂、LaHbX (3)(式中,L系锂、钠、钾、铷及铯之任一者、X系羟基或碳数1~30之1价或2价以上的有机酸基、a系1以上的整数、b系0或1以上的整数,a+b系羟基或有机酸基的价数)Ma’Hb’A (4)(式中,M系鋶、錪及铵之任一者、A系羟基、碳数1~30之1价或2价以上的有机酸基或非亲核性相对离子、a’系1以上的整数、b’系0或1以上的整数,a’+b’系羟基、有机酸基或非亲核性相对离子之价数)、(C)碳数为1~30之1价或2价以上的有机酸、(D)有机溶剂。
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