发明名称 |
薄化晶圆的方法 |
摘要 |
一种方法包括藉由一黏着剂结合一晶圆于一载体上与执行一薄化制程于该晶圆上。于该执行该薄化制程的步骤之后,移除该黏着剂未被该晶圆覆盖的一部份,而不移除该黏着剂被该晶圆覆盖的部份。 |
申请公布号 |
TWI458004 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
申请号 |
TW100100620 |
申请日期 |
2011.01.07 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
林俞良;吴文进;林俊成 |
分类号 |
H01L21/304;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
一种薄化晶圆的方法,包括:藉由一黏着剂结合一晶圆于一载体上,其中该晶圆露出部分的该黏着剂;执行一薄化制程于该晶圆上;于该执行该薄化制程的步骤之后,移除该黏着剂未被该晶圆覆盖的一部份,其中该黏着剂被该晶圆覆盖的一部份不被移除;以及于该移除的步骤之后,对该晶圆执行一制程步骤,随着电浆使用于该制程步骤中,其中于该制程步骤期间藉由该黏着剂该晶圆结合着该载体,且其中该制程步骤系择自实质上由一沈积与一乾蚀刻所组成之群组。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |