薄膜电晶体

摘要

一种薄膜电晶体，适于配置于基板上，此薄膜电晶体包括闸极、闸绝缘层、富矽通道层、源极与汲极。闸极配置于基板上。闸绝缘层配置于基板上以覆盖闸极。富矽通道层配置于闸极上方，其中富矽通道层之材料选自于由富矽氧化矽、富矽氮化矽、富矽氮氧化矽、富矽碳化矽与富矽碳氧化矽所组成之族群，且该富矽通道层之膜层深度在10奈米(nanometers,nm)至170nm中之矽含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间。源极与汲极分别与富矽通道层连接。

主权项

一种薄膜电晶体，适于配置于一基板上，该薄膜电晶体包括：一闸极，配置于该基板上；一闸绝缘层，配置于该基板上以覆盖该闸极；一富矽通道层，配置于该闸极上方，其中该富矽通道层之材料为富矽氮氧化矽，且该富矽通道层之膜层深度在15奈米(nanometers,nm)至170nm中的矽含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间；以及一源极与一汲极，分别与该富矽通道层连接。