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发明名称
自旋力矩磁性积体电路及其制造方法
摘要
本发明说明了自旋力矩磁性积体电路及其装置。一自旋力矩磁性积体电路包含被配置在一基材之上的一第一自由铁磁层。一非磁性层被配置在该第一自由铁磁层之上。包含了复数个写入柱及复数个读取柱,每一柱被配置在该非磁性层之上,且包含一固定铁磁层。
申请公布号
TWI457925
申请公布日期
2014.10.21
申请号
TW099136545
申请日期
2010.10.26
申请人
英特尔股份有限公司 美国
发明人
尼可诺夫 狄米崔;布瑞恩诺夫 乔治;甘尼 塔何
分类号
G11C11/16;G11C11/15
主分类号
G11C11/16
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种自旋力矩磁性积体电路,包含:被配置在一基材之上的一第一自由铁磁层;被配置在该第一自由铁磁层上之一耦合层;被配置在该耦合层上之一第二自由铁磁层;被配置在该第二自由铁磁层之上的一穿隧氧化层;复数个写入柱及复数个读取柱,每一柱被配置在该穿隧氧化层之上,且包含一固定铁磁层;以及被配置在该固定铁磁层之上的一反铁磁层。
地址
美国
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