静态随机存取记忆体电路、双埠静态随机存取记忆胞阵列与静态随机存取记忆胞阵列

摘要

本发明提供一种静态随机存取记忆体电路，包括至少一静态随机存取记忆胞阵列，而静态随机存取记忆胞阵列包括复数行和复数列，并且行和列的交点皆具有一静态随机存取记忆胞。其中每一个上述静态随机存取记忆胞具有一第一字元线和一第二字元线，第一字元线连接至一第一耦合杂讯限制电路，并且第一耦合杂讯限制电路包括具有具有一第一NMOS场效电晶体和一第一PMOS场效电晶体之一第一反向器以及一第二NMOS场效电晶体。

主权项

一种静态随机存取记忆体电路，包括：至少一静态随机存取记忆胞阵列，上述静态随机存取记忆胞阵列包括复数行和复数列，上述行和列的交点皆具有一静态随机存取记忆胞；其中每一个上述静态随机存取记忆胞具有一第一字元线和一第二字元线；其中上述第一字元线连接至一第一耦合杂讯限制电路，其中上述第一耦合杂讯限制电路包括：一第一反向器，具有一第一NMOS场效电晶体和一第一PMOS场效电晶体；以及一第二NMOS场效电晶体；每一个上述MOS场效电晶体具有一汲极、一源极以及一闸极，其中：上述第一NMOS场效电晶体的汲极电性连接至上述第一PMOS场效电晶体的汲极；上述第一NMOS场效电晶体的闸极电性连接至上述第一PMOS场效电晶体的闸极，并且一起连接至电性连接至一第一字元线；上述第一PMOS场效电晶体的源极电性连接至一第一电压源；上述第一NMOS场效电晶体的源极电性连接至一第二电压源；上述第二NMOS场效电晶体的汲极电性连接至上述第一字元线；上述第二NMOS场效电晶体的闸极电性连接至上述第一NMOS场效电晶体的汲极和上述第一NMOS场效电晶体的汲极；以及上述第二NMOS场效电晶体的源极电性连接至上述第二电压源。