发明名称 太阳能电池氧化亚铜(Cu2O)薄膜镀膜方法
摘要 本发明揭示了一种真空磁控溅射的制程技术,藉由搭配高功率脉冲电源之磁控溅射源,在真空环境中产生高密度脉冲电浆,电浆密度是传统电浆的数十至数百倍,在射向工件时,工件表面建立自偶性负电压(数伏~数十伏),电压高低由脉冲电浆密度决定,此负电压能吸引高密度电浆中之离子,使其具有足够能量及能量分布窄之优点,并易与反应气体产生特定结构之化合并沉积在工件上,由于工件具自偶性负电压,无需额外提供偏压电源,且各式材质之工件皆能适用。
申请公布号 TWI457452 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW101139741 申请日期 2012.10.26
申请人 行政院原子能委员会核能研究所 桃园县龙潭乡文化路1000号 发明人 吴锦裕;魏新武
分类号 C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363;H01L31/04 主分类号 C23C14/08
代理机构 代理人 林坤成 台北市信义区松德路171号2楼;刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼
主权项 一种太阳能电池氧化亚铜(Cu2O)薄膜镀膜方法,其系在一镀膜系统中进行,该方法系包含下列步骤:一系统抽真空步骤:将该镀膜系统抽真空,直到真空背景气压近3×10-5torr;一高功率脉冲电浆沉积薄膜步骤:先透过该镀膜系统之一气体供应源充入一氩气270sccm及一氧气50sccm使该镀膜系统内之气压达2.7×10-3torr,启动该镀膜系统之一高功率脉冲磁控溅射源产生电浆,电浆中铜及氧离子在自偶负偏压之一载台基材上化合沉积成一薄膜,将该镀膜系统中之一脉冲电源所输出一电压脉冲波之开始/停止时间(on/off time)设定在200/3000μs(微秒),当该脉冲电源所提供之一脉冲电压为550V时,则有相对应之一峰值电流(peak current)12A;以及一透明化参数调整步骤:在镀膜初期,微调整制程该氧气或该峰值电流参数,使该薄膜不变成CuO黑色或铜色(含Cu),待制程参数调好后,镀膜时间40分钟,即完成Cu2O镀膜,取出量膜厚度为0.4μm,颜色呈透明且略带橙色;其中,该镀膜系统更包括一基材载台,系与该镀膜系统之一腔体作隔离成电绝缘,该基材载台之电位系浮接,不接任何电源,该基材载台会在脉冲电浆冲击下,瞬间产生数十至数百伏自偶性负偏压,提供电浆中铜氧离子能量,在一基材上产生化合沉积。
地址 桃园县龙潭乡文化路1000号
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