发明名称 |
光电二极体、光感测元件及其制备方法 |
摘要 |
本案揭露一种光电二极体、光感测元件及其制备方法。光电二极体的N型半导体层与本质半导体层分别包含N型非晶型铟镓锌氧化物与本质非晶型铟镓锌氧化物,且本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量。在此也揭露包含上述光电二极体的光感测元件。 |
申请公布号 |
TWI458110 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
申请号 |
TW101105122 |
申请日期 |
2012.02.16 |
申请人 |
元太科技工业股份有限公司 新竹市科学工业园区力行一路3号 |
发明人 |
舒芳安;蔡燿州;辛哲宏 |
分类号 |
H01L31/105;H01L31/108;H01L31/032;H01L27/14;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/105 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
一种光电二极体,包含:一基板;一下电极,配置于该基板上;一N型半导体层,配置于该下电极上,其中该N型半导体层包含N型非晶型铟镓锌氧化物;一本质半导体层,配置于该N型半导体层上,其中该本质半导体层包含本质非晶型铟镓锌氧化物,且该本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于该N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量;以及一上电极,配置于该本质半导体层上。 |
地址 |
新竹市科学工业园区力行一路3号 |