发明名称 光电二极体、光感测元件及其制备方法
摘要 本案揭露一种光电二极体、光感测元件及其制备方法。光电二极体的N型半导体层与本质半导体层分别包含N型非晶型铟镓锌氧化物与本质非晶型铟镓锌氧化物,且本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量。在此也揭露包含上述光电二极体的光感测元件。
申请公布号 TWI458110 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW101105122 申请日期 2012.02.16
申请人 元太科技工业股份有限公司 新竹市科学工业园区力行一路3号 发明人 舒芳安;蔡燿州;辛哲宏
分类号 H01L31/105;H01L31/108;H01L31/032;H01L27/14;H01L31/18 主分类号 H01L31/105
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种光电二极体,包含:一基板;一下电极,配置于该基板上;一N型半导体层,配置于该下电极上,其中该N型半导体层包含N型非晶型铟镓锌氧化物;一本质半导体层,配置于该N型半导体层上,其中该本质半导体层包含本质非晶型铟镓锌氧化物,且该本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于该N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量;以及一上电极,配置于该本质半导体层上。
地址 新竹市科学工业园区力行一路3号