蚀刻方法、蚀刻系统及记录媒体

摘要

本发明关于一种蚀刻方法、蚀刻系统及记录媒体，所提供之该蚀刻方法可在对矽表面上形成有矽氧化膜的基板进行蚀刻之方法中降低接触电阻，其中系供给含有卤素之气体和硷性气体至基板上，并使含有卤素之气体和硷性气体产生化学反应而在矽氧化膜处形成凝聚层，来对矽氧化膜进行蚀刻；供给至少含有一种自F2气体、XeF2气体及ClF3气体的群组中所选出之矽蚀刻气体至基板上，并利用矽蚀刻气体来对基板上的矽进行蚀刻；矽氧化膜的蚀刻和矽的蚀刻后，加热以去除基板上的凝聚层。

主权项

一种蚀刻方法，系对矽表面上形成有矽氧化膜之基板进行蚀刻，其包含：矽氧化膜蚀刻步骤，系供给含有卤素之气体和硷性气体至基板上，并使该含有卤素之气体和该硷性气体产生化学反应而在矽氧化膜处形成凝聚层，来对矽氧化膜进行蚀刻；矽蚀刻步骤，系供给至少含有一种自F2气体、XeF2气体及ClF3气体的群组中所选出之矽蚀刻气体至基板上，并利用该矽蚀刻气体来对该凝聚层下侧的矽进行蚀刻；以及凝聚层去除步骤，系于该矽氧化膜蚀刻步骤和该矽蚀刻步骤结束后，加热以去除基板上的该凝聚层。