| 发明名称 |
氮化合物半导体基板之制造方法及氮化合物半导体基板、单结晶ＳｉＣ基板之制造方法及单结晶ＳｉＣ基板 |
| 摘要 |
本发明为了提供可得到结晶性良好之氮化合物半导体层之氮化合物半导体基板之制造方法，进行准备具有既定厚度之表面Si层(3)与埋入绝缘层(4)之Si基板(1)之步骤、与在将上述Si基板(1)在碳系气体环境气氛中加热而使上述表面Si层(3)变成单结晶SiC层(6)时，使上述埋入绝缘层(4)之界面(8)附近之Si层作为残存Si层(5)而残留之步骤、与对表面之单结晶SiC进一步使氮化合物半导体层(15)磊晶成长之步骤。;本发明为了提供可得到结晶性良好之SiC层之单结晶SiC基板之制造方法，准备具有既定厚度之表面Si层(3)与埋入绝缘层(4)之Si基板(1)，在将上述Si基板(1)在碳系气体环境气氛中加热而使上述表面Si层(3)变成单结晶SiC层(6)时，使上述表面Si层(3)变成单结晶SiC层(6)时，使埋入绝缘层(4)之界面(8)附近之Si层作为残存Si层(5)而残留。 |
| 申请公布号 |
TWI457476 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
| 申请号 |
TW098119223 |
申请日期 |
2009.06.09 |
| 申请人 |
爱沃特股份有限公司 日本;公立大学法人大阪府立大学 日本 |
发明人 |
川村启介;泉胜俊;浅村英俊;横山敬志 |
| 分类号 |
C30B29/36;C23C16/42;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B29/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种氮化合物半导体基板之制造方法，其特征为进行准备具有既定厚度之表面Si层与埋入绝缘层之Si基板之步骤、与在将上述Si基板在碳系气体环境气氛中加热而使上述表面Si层变成单结晶SiC层之时，藉由使上述埋入绝缘层之界面附近之Si层残留作为残存Si层，进而抑制与其下部之埋入绝缘层之界面之起伏之步骤、与在施行对表面之单结晶SiC进一步使氮化合物半导体磊晶成长之步骤时，使上述残存Si层之厚度成为3~20nm。 |
| 地址 |
日本 |
