发明名称 应变层的松弛方法
摘要 本发明系有关一种应变材料层的松弛方法,其包含将包含一第一顺应材料的第一低黏度层沈积在该应变材料层上,将包含一第二顺应材料的第二低黏度层沈积在该应变材料层上以形成第一夹层结构,及对该第一夹层结构施以热处理以便造成该第一及该第二低黏度层的回流,藉以至少局部松弛该应变材料层。
申请公布号 TWI457984 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW098126447 申请日期 2009.08.05
申请人 S O I TEC绝缘层上矽科技公司 法国 发明人 雷特崔 法布瑞斯;马哲 克劳斯;科拉梅斯 麦克 R;马劳林 梅尔凡 B;加德拿 纳瑟 F
分类号 H01L21/20;H01L21/324 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 陈展俊 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2;林圣富 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2
主权项 一种应变材料层的松弛方法,其包含于沈积在一支撑基材上的一晶种基材上成长一应变材料层;将一第一低黏度层沈积在该应变材料层之一面上;将一第一基材接合于该第一低黏度层,及从该晶种基材分开该应变材料层,于是露出该应变材料层的另一面;将一第二低黏度层沈积在该应变材料层之另一面上;将一第二基材接合于该第二低黏度层以形成一夹层结构;及于高于该第一及第二低黏度层的玻璃转移温度的温度下对该夹层结构施予热处理以便造成该第一及该第二低黏度层的回流,藉以至少局部松弛该应变材料层。
地址 法国