| 发明名称 |
基片蚀刻方法及基片处理设备 |
| 摘要 |
本发明提出一种基片蚀刻方法和基片处理设备，所述基片蚀刻方法包括：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入蚀刻气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时向所述反应腔室内输入沈积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沈积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5-S6直至完成蚀刻制程。根据本发明，在整个蚀刻制程中始终进行蚀刻作业，并穿插着进行沈积作业，因此在沈积作业的同时，反应腔室内的等离子体可以至少将蚀刻剖面侧壁上的由沈积作业所形成的沈积聚合物中的一部分蚀刻掉，从而使基片的蚀刻剖面的侧壁平滑。 |
| 申请公布号 |
TWI458015 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
| 申请号 |
TW101125620 |
申请日期 |
2012.07.17 |
| 申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 中国 |
发明人 |
韦刚;王春;李东三 |
| 分类号 |
H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种基片蚀刻方法，包括以下步骤：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入蚀刻气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时开始向所述反应腔室内输入沈积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沈积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5-S6直至完成蚀刻制程。 |
| 地址 |
中国 |
