发明名称 半导体装置及半导体装置之制造方法
摘要 [课题]在被构装体上层积有半导体晶片的半导体装置中,防止上侧的半导体晶片上有底部填充材爬上或在晶片间有空孔发生。;[解决手段]具备:在第1主面上形成有配线图案(7)的第1半导体晶片;和被搭载于第1半导体晶片上且配线图案(7)所被形成之面上的第2半导体晶片;和被充填在第1半导体晶片和第2半导体晶片之间,在第2半导体晶片之外周部形成填角部的底部填充材的此种半导体装置之构成中,在第1半导体晶片上且将第2半导体晶片所被搭载之晶片搭载领域(15)予以划定用的4个边部当中,在填角部被形成得最长的边部(15A)的外侧,形成用来将底部填充材导入至晶片间用的导入部(18)。
申请公布号 TWI458054 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW099100182 申请日期 2010.01.06
申请人 新力股份有限公司 日本 发明人 原田惠充;村井诚;田中孝征;中村卓矢
分类号 H01L23/28;H01L21/56 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,其特征为,具备:在第1主面上形成有配线图案的被构装体;和被搭载于前记被构装体之前记配线图案形成面上的半导体晶片;和底部填充材,系被充填在前记被构装体与前记半导体晶片之间,用以在前记半导体晶片的外周部,形成填角部;在前记被构装体上且为将前记半导体晶片所被搭载之晶片搭载领域加以划定的4个边部当中前记填角部被形成得最长的边部,以与该边部连接或交叉的状态而被形成在外侧,用以将前记底部填充材导入至前记被构装体与前记半导体晶片之间用的导入部;前记配线图案被形成为,在前记填角部被形成得最长的前记晶片搭载领域的边部之外侧,与该当边部呈平行;前记导入部,系在前记配线图案之配线方向上,对前记晶片搭载领域之边部的一部分呈连接或交叉之状态,而被形成。
地址 日本