研磨用组合物及半导体积体电路装置之制造方法

摘要

本发明系关于一种研磨用组合物，其系对在绝缘层上经由阻障层而设置之铜层进行研磨，交替地形成嵌铜配线与绝缘层之图案形成中，进行研磨直至与上述铜层邻接之上述阻障层露出为止之步骤中所用者；且该研磨用组合物包含：脂环族树脂酸；于研磨用组合物中之含量为0.1~1.5质量%，且平均一次粒径为10~40nm，平均二次粒径为30~80nm，且平均二次粒径×含量在10~40之范围内之胶体氧化矽；及四甲基铵离子。

主权项

一种研磨用组合物，其系用于对隔着阻障层设置在绝缘层上之铜层进行研磨，交替地形成嵌铜配线与绝缘层之图案形成中，进行研磨直至与上述铜层邻接之上述阻障层露出为止之步骤中者；且其包含：脂环族树脂酸；于研磨用组合物中之含量为0.1~1.5质量%，且平均一次粒径为10~40nm，平均二次粒径为30~80nm，且平均二次粒径×含量在10~40之范围内之胶体氧化矽；四甲基铵离子；及钾离子；以氢氧化钾换算，于研磨用组合物中之钾离子含量为0.2质量%以上、0.6质量%以下；以氢氧化四甲基铵/氢氧化钾换算，四甲基铵离子/钾离子之质量比为0.3以上。