光罩制造方法，空白光罩与乾式蚀刻法

摘要

一种光罩，其系藉由以下方式制造：提供空白光罩，其中该空白光罩包含透明基材、相移膜与遮光膜，该相移膜与该遮光膜包括矽基底材料层，该相移膜之矽基底材料层中的N+O含量与该遮光膜之矽基底材料层中的N+O含量不同；及使用具有所选定O/Cl比的含氧之氯气来氯乾式蚀刻该空白光罩以选择性蚀刻掉该遮光膜之矽基底材料层。

主权项

一种制造光罩之方法，其包括以下步骤：提供空白光罩，该空白光罩包含透明基材，位于该透明基材上之相移膜，其至少在与遮光膜邻接之侧包含矽基底材料，及遮光膜，其配置在该相移膜上且包括随意的铬基底材料外层与矽基底材料层，该相移膜与该遮光膜系包括含有氧及/或氮与过渡金属之矽基底材料最外层的单层或多层结构之相移膜和包括含有氧及/或氮与过渡金属之矽基底材料层的单层或多层结构之遮光膜的组合，或系包括含有氮或含有氮与氧及随意之过渡金属之矽基底材料最外层的单层或多层结构之相移膜和包括含有氮或含有氮与氧及随意之过渡金属之矽基底材料层的单层或多层结构之遮光膜的组合，该相移膜之矽基底材料层系与该遮光膜之矽基底材料层邻接配置，及选择性蚀刻掉配置在该空白光罩中之该相移膜的矽基底材料层上之遮光膜的矽基底材料层，同时留下该相移膜的矽基底材料层，该空白光罩符合先决条件：该相移膜之矽基底材料层具有氮与氧之总含量C1(莫耳%)，且该遮光膜之矽基底材料层具有氮与氧之总含量C2(莫耳%)，则该等总含量之间的差异(C1-C2)至少为5，且该蚀刻步骤包括使用氧对氯之莫耳比介于0.0001与1之间的含氧之氯气之氯乾式蚀刻。