半导体装置之制造方法,申请号TW101107150-传众专利搜索

发明名称	半导体装置之制造方法
摘要	一种半导体装置之制造方法，其系包含下列步骤：藉由加工半导体元件之第一电极的表面来形成含有晶体的第一层；藉由加工其上安装该半导体元件之安装构件之第二电极的表面来形成含有晶体的第二层；在第一温度还原存在于该第一层上方或之中的第一氧化物膜与存在于该第二层上方或之中的第二氧化物膜，该第一温度低于第二温度以及低于第三温度，在该第二温度含于该第一电极之第一金属呈固态扩散，在该第三温度含于该第二电极之第二金属呈固态扩散；以及藉由固相扩散使该第一层与该第二层相互接合。
申请公布号	TWI458025	申请公布日期	2014.10.21
申请号	TW101107150	申请日期	2012.03.03
申请人	富士通股份有限公司日本	发明人	酒井泰治;今泉延弘;水越正孝
分类号	H01L21/44	主分类号	H01L21/44
代理机构		代理人	洪武雄台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项	一种半导体装置之制造方法，其系包含下列步骤：藉由加工半导体元件之第一电极的表面来形成含有晶体的第一层；藉由加工其上安装该半导体元件之安装构件之第二电极的表面来形成含有晶体的第二层；在第一温度还原存在于该第一层上方或之中的第一氧化物膜与存在于该第二层上方或之中的第二氧化物膜，该第一温度低于第二温度以及低于第三温度，在该第二温度含于该第一电极之第一金属呈固态扩散，在该第三温度含于该第二电极之第二金属呈固态扩散；以及藉由固相扩散使该第一层与该第二层相互接合。
地址	日本