半导体外延结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一支持半导体外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一奈米碳管层；以及在基底的外延生长面生长一掺杂的半导体外延层。

主权项

一种半导体外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；从一奈米碳管阵列中拉取获得一自支撑的奈米碳管膜并直接将该奈米碳管膜铺设在所述基底的外延生长面形成一奈米碳管层；以该奈米碳管层为掩模在所述基底的外延生长面生长一GaN低温缓冲层；在所述GaN低温缓冲层表面生长一N型GaN层；在所述N型GaN层表面生长一InGaN/GaN多量子阱层；在所述InGaN/GaN多量子阱层表面生长一P型GaN层；以及进行退火处理。