发明名称 |
制造薄膜电晶体之方法及具有其之有机发光二极体显示装置 |
摘要 |
本发明系关于一种薄膜电晶体(thin film transistor,TFT)、一种具有TFT之有机发光二极体(organic light emitting diode,OLED)装置及一种制造TFT之方法及一种制造包括TFT之有机发光二极体(OLED)显示装置之方法。制造TFT之方法包括提供一基板,在该基板上形成一缓冲层,在该缓冲层上形成一非晶矽层图案,在该基板之整个表面上形成一金属层,藉由对该金属层施加电场以使该非晶矽层图案结晶而形成一半导体层,藉由使金属层图案化而形成与该半导体层连接的源电极及汲电极,在基板之整个表面上形成一闸极绝缘层,在该闸极绝缘层上与半导体层相对应形成一闸极电极,及在基板之整个表面上形成一保护层。 |
申请公布号 |
TWI458099 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
申请号 |
TW099127059 |
申请日期 |
2010.08.13 |
申请人 |
三星显示器有限公司 南韩 |
发明人 |
安志洙;李源必 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/336;H01L51/56 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
李国光 新北市中和区中正路928号5楼;张仲谦 新北市中和区中正路928号5楼 |
主权项 |
一种制造薄膜电晶体之方法,其包含:提供一基板;在该基板上形成一缓冲层;在该缓冲层上形成一非晶矽层图案,该非晶矽层图案系为单一层;在该基板之整个表面上形成一金属层;藉由对该金属层施加电场以使该非晶矽层图案结晶而形成一半导体层;藉由使该金属层图案化而形成与该半导体层连接之源电极及汲电极;在该基板之该整个表面上形成一闸极绝缘层;在该闸极绝缘层上与该半导体层相对应形成一闸极电极;及在该基板之该整个表面上形成一保护层。 |
地址 |
南韩 |