| 发明名称 |
磷酸制程控制氧化物蚀刻率的方法 |
| 摘要 |
一种磷酸制程控制氧化物蚀刻率的方法，在此方法中，根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸制程对应的多个氧化物蚀刻率下降值，并根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值，然后根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸。此外，根据所述补酸的量推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。 |
| 申请公布号 |
TWI458006 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
| 申请号 |
TW101115571 |
申请日期 |
2012.05.02 |
| 申请人 |
华邦电子股份有限公司 台中市大雅区科雅一路8号 |
发明人 |
李成材;江家兴;范育嘉;陈松宽;王兴华;杨淳吉;庄宗仁 |
| 分类号 |
H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种磷酸制程控制氧化物蚀刻率的方法，包括：根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸制程对应的多个氧化物蚀刻率下降值；根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值；根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸；以及根据所述补酸的量，推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。 |
| 地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 |
