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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
本发明之目的在于提供具高度连接可靠性,可因应形成于半导体晶片之微细化电极焊垫的半导体装置。导体装置上具有复数电极焊垫之半导体晶片、覆盖半导体晶片上,让复数的部分电极焊垫各具露出开口的绝缘层、被配置于基板上半导体晶片的周边领域,而在开口处露出复数电极焊垫与电气连接复数布线者;根据本发明相关半导体装置,可藉扩大形成于绝缘层的开口面积,避免因光学蚀刻技术而形成开口不良;除此之外,还可因应半导体晶片上所形成之微细化电极焊垫。
申请公布号
TWI458061
申请公布日期
2014.10.21
申请号
TW100105917
申请日期
2011.02.23
申请人
吉帝伟士股份有限公司 日本
发明人
山方修武
分类号
H01L23/488;H01L21/60
主分类号
H01L23/488
代理机构
代理人
林金东 台北市大安区罗斯福路2段79号5楼
主权项
一种半导体装置,其特征包含:具有复数电极焊垫之一半导体晶片;具有在前述半导体晶片上,让前述复数电极焊垫的至少一部份各露出的开口之一绝缘层;与在前述开口露出的前述复数电极焊垫进行电气连接之复数布线;其中前述开口的形状系为前述半导体晶片上邻接的两个电极焊垫之顶部及底部交替露出至少两处以上的复数开口。
地址
日本
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