发明名称 |
СПОСОБ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ОКСИДА КРЕМНИЯ |
摘要 |
Способ низкотемпературного выращивания оксида кремния путем нагрева кремния в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что нагрев осуществляют до температуры 250-400°C потоком электронов плотностью в интервале 2,5·10-10см·сс энергией 3,5-11 МэВ. |
申请公布号 |
RU2013116496(A) |
申请公布日期 |
2014.10.20 |
申请号 |
RU20130116496 |
申请日期 |
2013.04.11 |
申请人 |
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" |
发明人 |
Дренин Андрей Сергеевич;Лагов Петр Борисович;Мурашев Виктор Николаевич;Мусалитин Александр Михайлович |
分类号 |
C30B33/04;C30B29/18;H01L21/316 |
主分类号 |
C30B33/04 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|