Leistungshalbleitereinrichtung

摘要

Es wird eine Leistungshalbleitereinrichtung mit hoher Zuverlässigkeit angegeben, bei der die Bildung von Rissen in einem Vergussharzelement und die Separierung des Vergussharzelementes von dem Substrat schwerlich auftreten. Zu diesem Zweck ist folgendes vorgesehen: eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Halbleiterelementsubstrat, auf welchem ein vorderes Elektrodenmuster (2) auf der Oberfläche eines Isoliersubstrats (4) ausgebildet ist; Leistungs-Halbleiterelemente (5, 6), die unter Verwendung eines Verbindungsmaterials auf der Oberfläche des vorderen Elektrodenmusters (2) befestigt sind; eine Trennwand (9), die auf dem vorderen Elektrodenmuster (2) ausgebildet ist, so dass sie die Leistungshalbleiterelemente umgibt; ein erstes Vergussharzelement (120), das in den Innenraum der Trennwand (9) eingefüllt ist, so dass es die Leistungs-Halbleiterelemente und das vordere Elektrodenmuster (2) innerhalb der Trennwand (9) bedeckt; ein zweites Vergussharzelement (12), welches das erste Vergussharzelement (120) und einen Teil des Halbleiterelementsubstrats bedeckt, der von der Trennwand (9) freiliegt; wobei der Elastizitätsmodul des zweiten Vergussharzelementes (12) mit einem kleineren Wert vorgegeben ist als dem Elastizitätsmodul des ersten Vergussharzelementes (120); wobei eine Elektrode für einen Relaisanschluss (8), der mit dem vorderen Elektrodenmuster (2) nicht in Kontakt steht, auf der Oberfläche der Trennwand (9) ausgebildet ist; und wobei eine Verdrahtung (130) von dem Innenraum der Trennwand (9) über die Elektrode für den Relaisanschluss (8) zur Außenseite der Trennwand (9) herausgeführt ist.