| 摘要 |
<p>Ein Herstellungsverfahren enthält einen Schritt des Bildens einer Verunreinigungsdiffusionsschicht (15) durch Diffundieren eines Verunreinigungselements in eine Oberfläche eines Substrats (11) auf Siliziumbasis; und einen Ätzschritt des Entfernens der Verunreinigungsdiffusionsschicht in zumindest einem Teil der Seite einer ersten Oberfläche des Substrats auf Siliziumbasis, wobei der Ätzschritt enthält: einen Ätzfluid-Zuführungsschritt des Zuführens eines Ätzfluids (33), das von einer Zuführungsposition zu einem äußeren Kantenbereich des Substrats auf Siliziumbasis fließt, auf die Seite der ersten Oberfläche, und einen Luftzuführungsschritt des Zuführens von Luft (34) in derselben Richtung wie das Ätzfluid gemäß der Zuführung des Ätzfluids in dem Ätzfluid-Zuführungsschritt auf die Seite einer zweiten Oberfläche, die der Seite der ersten Oberfläche entgegengesetzt ist, des Substrats auf Siliziumbasis.</p> |
