Solarzellenpassivierung durch Schichtsystem mit Aluminium-Verbindungen

摘要

Es wird ein Verfahren zur Passivierung von p-dotierten Silizium-Oberflächen auf Solarzellen bereitgestellt, umfassend die Abscheidung von mindestens einer Schicht, umfassend wasserstoffdotiertes amorphes Aluminium-Nitrid (AlN:H) und Siliziumnitrid (SiN). Dadurch wird das Einstellen eines höheren Brechungsindex als der von Al2O3-Schichten ermöglicht. Des Weiteren wird die gleichzeitige Abscheidung von AlN:H und SiN innerhalb einer Prozesskammer bereit gestellt, was die Konstruktion von erheblich kostenreduzierten Anlagen zur Abscheidung von AlN:H/SiN-Stacks ermöglicht.