半导体记忆体制程;METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY

摘要

一种半导体记忆体制程,首先于基板中定义主动区域,形成氧化层,对氧化层进行表面处理,于氧化层上沈积第一多晶矽层、缓冲层及硬遮罩层。接着制作凹入式存取元件,包括在记忆体阵列区内的硬遮罩层中形成开口,进行乾蚀刻制程,蚀刻缓冲层、第一多晶矽层、氧化层及半导体基板,形成沟槽,接着于沟槽表面形成闸极氧化层,填入金属闸极,填满介电层,去除硬遮罩层及缓冲层。再制作周边电路区内的平面式电晶体元件,包括在第一多晶矽层上沈积第二多晶矽层,然后将第一、第二多晶矽层蚀刻成闸极结构。