包含氮杂取代膦氧化物基质及金属盐之半导体材料;SEMICONDUCTING MATERIAL COMPRISING AZA-SUBSTITUTED PHOSPHINE OXIDE MATRIX AND METAL SALT

摘要

本发明关于具有改良电性的半导体材料，其包括金属阳离子的至少一盐类或复合物与氮杂取代的膦氧化物化合物，以及关于化合物，其适合用于此有机半导体材料与使用该改良电性之该半导体材料的电子装置。