Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

摘要

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: einen Träger (103), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (105) aufgebracht ist, die eine n-dotierte und eine p-dotierte Halbleiterschicht (107) umfasst, so dass ein p-n-Übergang (111) gebildet ist, der eine aktive Zone (113) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst, wobei zumindest eine der n-dotierten und der p-dotierten Halbleiterschicht einen dotierten Bereich mit einer ersten Dotierungskonzentration umfasst, die größer ist als eine zweite Dotierungskonzentration in einer Umgebung des Bereichs in der den Bereich umfassenden Halbleiterschicht. Die Erfindung betrifft ferner ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (101).