Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur

摘要

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur (100), aufweisend die Schritte: a) Bereitstellen eines Substrats (10); b) Ausbilden von Gräben (11) mit vordefinierten Ausmaßen im Substrat (10); c) Verfüllen der Gräben (11) mit Oxidmaterial (20); d) Ausbilden von Ätzöffnungen (12) im Oxidmaterial (20); e) Ätzen des Substrats (10) zwischen den verfüllten Gräben (11) bis in eine vordefinierte Tiefe; f) Verschließen der Ätzöffnungen (12) mit Oxidmaterial (20) unter Ausbilden einer im Wesentlichen planaren Oberfläche; g) Ausbilden einer funktionalen Halbleiterstruktur (50) mittels eines Halbleiterprozesses auf der im Wesentlichen planaren Oberfläche; und h) Ätzen des Oxidmaterials (20) unterhalb der funktionalen Halbleiterstruktur (50).