Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Es wird ein Graben-Gate-MOS-Transistor bereitgestellt. Dieser beinhaltet ein Halbleitersubstrat (40) mit einem Graben (20) enthaltend eine Gateelektrode (12), ein Sourcegebiet, ein zu einem Kanalgebiet (5) benachbartes Bodykontaktgebiet (2), wobei die Dotiermittelkonzentration in dem Kanalgebiet (5) in einer lateralen Richtung variiert und in einer Richtung von der Gateelektrode (12) zu dem Bodykontaktgebiet (2), welches von der Gateelektrode (12) beabstandet ist, mindestens einen kleinsten Wert aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung des Transistors bereitgestellt.