| 摘要 |
本发明之课题在于提供一种穿隧式场效电晶体,其可基于规定之闸极电压,对穿隧接合施加更强之电场,从而以低电压动作取得较大之汲极电流。本发明之穿隧式场效电晶体包含:半导体区域,其系以如下区域形成:源极区域、邻接于上述源极区域而配置且将其边界面作为穿隧接合面之通道区域、及邻接于上述通道区域而配置之汲极区域;及闸极电极,其介隔闸极绝缘膜而配置于上述半导体区域上;且于如下位置之各者之位置上配置上述闸极电极:位于与上述通道区域之上述穿隧接合面对向之对向面之第1闸极电极配置位置,及位于自上述对向面之端部向上述源极区域弯曲之上述通道区域之弯曲面、且位于将上述第1闸极电极配置位置作为基准之上述对向面之弯曲方向之第2闸极电极配置位置。 |
