发明名称 SRAM位元线及写入辅助设备与用于降低动态功率和峰值电流之方法、以及双输入位准移位器;SRAM BIT-LINE AND WRITE ASSIST APPARATUS AND METHOD FOR LOWERING DYNAMIC POWER AND PEAK CURRENT, AND A DUAL INPUT LEVEL-SHIFTER
摘要 所揭露的是一种设备,包含共同耦接于一群组中的复数个记忆体阵列、区域写入辅助逻辑单元、及读取/写入区域行多工器,使得在群组中的区域写入辅助逻辑单元和读取/写入区域行多工器所占据的面积小于当使用全域写入辅助逻辑单元和读取/写入全域行多工器时所将占据的面积。所揭露的是一种具有积体闩锁器的双输入位准移位器。所揭露的是一种设备,其包含:一写入辅助脉冲产生器,操作于一第一电源供应器上;一或更多上拉装置,耦接至写入辅助脉冲产生器,一或更多上拉装置操作于与第一电源供应器不同的一第二电源供应器上;及一输出节点,用以将电源提供至一记忆胞。
申请公布号 TW201440049 申请公布日期 2014.10.16
申请号 TW102143015 申请日期 2013.11.26
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 恩果 修;库明斯 丹尼尔
分类号 G11C11/419(2006.01);G11C5/14(2006.01) 主分类号 G11C11/419(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 美国