图案形成方法、光阻组成物、高分子化合物及单体;PATTERNING PROCESS, RESIST COMPOSITION, POLYMER, AND MONOMER

摘要

本发明提供一种图案形成方法，系将包含因酸作用而形成内酯环而对有机溶剂之溶解性下降之含有式(1)表示之重复单元a1之高分子化合物的光阻组成物涂布在基板上，加热处理后以高能射线将光阻膜曝光，加热处理后使用利用有机溶剂所为之显影液使未曝光部溶解，获得曝光部不溶解之负型图案之方法。;(R 1 为H或CH3；R 2 为H或1价烃基，-CH2-也可取代为-O-或-C(=O)-。R 3 为酸不稳定基，R 4 为H或1价烃基，-CH2-也可取代为-O-或-C(=O)-。0＜a1＜1.0。)本发明之光阻组成物，于曝光、PEB后之有机溶剂显影能获得高溶解对比度，能以良好尺寸控制及高感度形成微细的孔洞图案或沟渠图案。