半导体基板之洗净方法及半导体基板之制造方法;METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

摘要

本发明之半导体基板之洗净方法具备：第一洗净操作，其使用下述洗净剂(A)或下述洗净剂(B)，洗净业已施行研磨处理之半导体基板；及第二洗净操作，其于前述第一洗净操作后，使用下述洗净剂(C)，洗净前述半导体基板；洗净剂(A)：含有碳氢化合物、二醇醚及界面活性剂之液体洗净剂；洗净剂(B)：含有硷金属之氢氧化物、选自于羟基羧酸及其盐之1种以上、以及选自于1-羟基乙烷-1,1-二膦酸及其盐之1种以上之液体洗净剂；洗净剂(C)：含有硫酸及过氧化氢，且硫酸浓度为50质量%以上之液体洗净剂。