磊晶后隙缝塡入的自动平坦化;GAP FILL SELF PLANARIZATION ON POST EPI

摘要

本发明有关于一种积体电路晶片具有电晶体结构,以一可流动介电材料分隔,及一相关的形成方法。在某些实施例中,积体电路晶片具有一半导体基板及一嵌入的矽锗区域延伸作为一正向凸起,从半导体基板中的一位置到半导体基板上的一位置。一第一闸极结构位于一位置,此位置藉由一第一间隙与嵌入矽锗区域分隔。一可流动介电材料配置于闸极结构与嵌入矽锗区域之间,以及一金属前介电(PMD)层配置于可流动介电材料上。可流动介电材料提供良好的间隙填充能力,在相邻闸极结构之间间隙填充期间,可以减缓空孔的形成。