具有加偏压深沟渠隔离之增强光子侦测装置;ENHANCED PHOTON DETECTION DEVICE WITH BIASED DEEP TRENCH ISOLATION

摘要

一种光子侦测装置包括具有安置在半导体材料之一第一区中的一平面接面之一光电二极体。一深沟渠隔离(DTI)结构安置在该半导体材料中。该DTI结构使该DTI结构之一侧上的该半导体材料之该第一区与该DTI结构之另一侧上的该半导体材料之一第二区相隔离。该DTI结构包括加衬在该DTI结构之一内侧表面之一介电层及安置在该DTI结构内侧之该介电层上之经掺杂半导体材料。安置在该DTI结构内侧之该经掺杂半导体材料耦合至一偏压电压,以使该半导体材料之该第一区中之该光电二极体与该半导体材料之该第二区相隔离。