非挥发性记忆体装置;NONVOLATILE MEMORY DEVICE

摘要

一种非挥发性记忆体装置包括一闸极结构,其包括一形成在一基板上方的选择闸极以及一形成在该选择闸极之一侧壁上并具有一P型通道的记忆体闸极;一汲极区,其系形成在该基板中,位于该闸极结构的一侧壁,并重叠该记忆体闸极的一部分;及一源极区,其系形成在该基板中,位于该闸极结构的另一侧壁,并重叠该选择闸极的一部分。该记忆体闸极包括由列及行所形成之网格,该网格具有选择性形成非挥发性记忆体装置中之记忆体的1及0位元。