| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium, aufweisend die Verfahrensschritte: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer zu maskierenden Oberfläche, insbesondere mit einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium; und b) Erzeugen eines definierten Maskierungsmusters unter örtlich selektivem Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auf der Oberfläche Das vorbeschriebene Verfahren erlaubt es, auf einfache und kostengünstige Weise eine gegenüber einer Vielzahl von Ätzmedien, wie insbesondere gegenüber Flusssäure, äußerst stabile Maskierung zu schaffen, um so höchst genaue und definierte Strukturen etwa durch einen Ätzvorgang zu schaffen. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein elektronisches Bauteil sowie das Verwenden von kolloidalem Siliziumoxid zum örtlich selektiven Maskieren einer zu behandelnden Oberfläche. |
