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本发明之一具体实施例阐述一种处理模组,其包括一矽中介层和复数个处理节点。该矽中介层包括复数个贯穿基板通孔。每个处理节点包括一处理单元晶粒,其以第一复数个焊料凸块结构直接耦合于该矽中介层之顶面;一记忆体晶粒,其以第二复数个焊料凸块结构直接耦合于该矽中介层之该顶面;及复数个电路元件,其电耦合该处理单元晶粒和该记忆体晶粒。该处理模组更包括复数个电连接,其形成于该矽中介层之底面上,并透过该等复数个贯穿基板通孔电耦合于该等复数个处理节点。该处理模组更包含复数个互连电路元件,其电互连该等复数个处理节点。 |
