发明名称 抗蚀底层膜形成用组成物及图型形成方法
摘要 本发明之目的系提供一种具有优异之保存安定性,且可减低涂布缺陷发生之抗蚀底层膜形成用组成物及使用该抗蚀底层膜形成用组成物之图型形成方法。本发明系关于一种抗蚀底层膜形成用组成物,其系含有[A]聚矽氧烷及[B]有机溶剂之抗蚀底层膜形成用组成物,其中[B]有机溶剂包含(B1)标准沸点未达150.0℃之烷二醇单烷基醚乙酸酯类,及(B2)标准沸点为150.0℃以上之有机溶剂,[B]有机溶剂中之(B1)烷二醇单烷基醚乙酸酯类之含有率为50质量%以上且99质量%以下,(B2)有机溶剂之含有率为1质量%以上且50质量%以下。(B2)有机溶剂之标准沸点较好为180℃以上。
申请公布号 TW201439684 申请公布日期 2014.10.16
申请号 TW102112486 申请日期 2013.04.09
申请人 JSR股份有限公司 发明人 木村彻;豊川郁宏;松村裕史;瀬古智昭
分类号 G03F7/11(2006.01);G03F7/075(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/11(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 日本